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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Kingston X5H5PW-MIE 8GB

总分
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

总分
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB 需要考虑的原因
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 41
    左右 -24% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2385 left arrow 3111

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较

Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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AMD R7416G2133U2S 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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内存RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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