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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
57
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
57
读取速度,GB/s
13.9
19.4
写入速度,GB/s
8.5
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2253
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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