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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.5
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2532
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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