RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
2532
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link