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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2385
2532
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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