PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral
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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    51 left arrow 61
    Por volta de -20% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.9 left arrow 6.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.1 left arrow 5.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    61 left arrow 51
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.3 left arrow 9.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.2 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1287 left arrow 2314
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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