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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
2236
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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