RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
52
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
52
Velocità di lettura, GB/s
11.7
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1578
2236
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link