RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2236
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link