PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    51 left arrow 61
    Около -20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.9 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    61 left arrow 51
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 9.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.2 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1287 left arrow 2314
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения