PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Причины выбрать
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

51 61

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.9 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 51
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 9.9
Скорость записи, Гб/сек

5.2 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1287 2314

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

модули RAM