PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Gesamtnote
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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    51 left arrow 61
    Rund um -20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.9 left arrow 6.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 5.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    61 left arrow 51
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 9.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.2 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1287 left arrow 2314
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RAM 1
RAM 2

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