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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
61
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.9
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.3
9.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1287
2314
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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