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Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
比较
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
总分
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Kingston HX316C10F/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
67
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
5.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/4 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
35
67
读取速度,GB/s
15.8
6.3
写入速度,GB/s
9.0
5.0
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2468
1247
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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