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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.6
17.7
写入速度,GB/s
8.8
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3483
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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