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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
14.6
15.1
写入速度,GB/s
8.8
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3095
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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