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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.6
18.2
写入速度,GB/s
8.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3546
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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