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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
14.1
20.9
写入速度,GB/s
8.7
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
3740
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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