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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
8.3
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2768
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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