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Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
比较
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.1
13.9
写入速度,GB/s
7.8
9.5
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2162
2432
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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