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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
12.8
20.7
写入速度,GB/s
9.1
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
3500
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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