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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
14.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2489
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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