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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
14.2
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2761
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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