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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
14.2
15.2
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2642
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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