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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
44
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
44
读取速度,GB/s
12.8
10.6
写入速度,GB/s
7.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
2374
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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