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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3011
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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