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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
8.7
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2942
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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