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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.7
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3036
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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