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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.7
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3083
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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