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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
8.7
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3207
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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