RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
44
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.7
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3146
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link