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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
49
读取速度,GB/s
13.9
9.8
写入速度,GB/s
8.7
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2277
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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