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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston 9905678-007.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.9
16.6
写入速度,GB/s
9.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2922
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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