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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
43
读取速度,GB/s
13.9
11.4
写入速度,GB/s
8.7
9.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2532
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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