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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
96
左右 -182% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
34
读取速度,GB/s
2,725.2
15.4
写入速度,GB/s
1,336.0
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2739
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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