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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
46
读取速度,GB/s
12.1
11.6
写入速度,GB/s
9.8
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
2469
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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