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Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
比较
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
总分
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
66
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
66
读取速度,GB/s
13.4
16.4
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2038
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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