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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
17.0
16.8
写入速度,GB/s
11.5
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3262
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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