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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
17.0
19.7
写入速度,GB/s
11.5
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3608
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
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