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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.1
11.9
写入速度,GB/s
11.9
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
2475
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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