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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
16.2
写入速度,GB/s
15.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3026
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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