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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
19
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
19
读取速度,GB/s
22.8
20.7
写入速度,GB/s
15.4
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3735
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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