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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
13.7
15.8
写入速度,GB/s
9.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2917
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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