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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
15.7
写入速度,GB/s
15.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2706
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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