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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
39
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
39
读取速度,GB/s
22.8
15.2
写入速度,GB/s
15.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2878
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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