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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.7
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
18.8
写入速度,GB/s
15.4
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3734
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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