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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.8
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
19.8
写入速度,GB/s
15.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
4012
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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