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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
19.4
写入速度,GB/s
8.1
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3646
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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