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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
16.5
写入速度,GB/s
15.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3273
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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