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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
12.7
写入速度,GB/s
15.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1718
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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