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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
4,577.1
16.3
写入速度,GB/s
2,066.5
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2658
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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