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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.0
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3781
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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